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SCT3105KLGC11

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Número da peça
SCT3105KLGC11
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descrição
SCT3105KL IS AN SIC SILICON CAR
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Total:$17.78000
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$17.78000

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Número da peça
SCT3105KLGC11
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descrição
SCT3105KL IS AN SIC SILICON CAR
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
1200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
24A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
137 mOhm @ 7.6A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id
5.6V @ 3.81mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
51nC @ 18V
Vgs (máx.)
+22V, -4V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
574pF @ 800V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
134W
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-247N
Pacote / caso
TO-247-3

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