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IPD60R600E6ATMA1

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Número da peça
IPD60R600E6ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IPD60R600E6ATMA1.pdf
Total:$0.61985
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$0.61985

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Número da peça
IPD60R600E6ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
Status da Peça
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
7.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
20.5nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 100V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
63W (Tc)
Temperatura de operação
-
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-252
Pacote / caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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