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IPP65R110CFDAAKSA1

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Número da peça
IPP65R110CFDAAKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IPP65R110CFDAAKSA1.pdf
Total:$7.69000
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(Em dólares americanos)
1pcs
$7.69000

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Número da peça
IPP65R110CFDAAKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 650V TO-220-3
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
31.2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 12.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.3mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
118nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3240pF @ 100V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
277.8W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TO220-3
Pacote / caso
TO-220-3

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