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SI4816BDY-T1-GE3

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Número da peça
SI4816BDY-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SI4816BDY-T1-GE3.pdf
Total:$0.84005
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.84005

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Número da peça
SI4816BDY-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Status da Peça
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
5.8A, 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18.5 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Potência - Max
1W, 1.25W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
8-SO

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