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HGTD1N120BNS9A

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Número da peça
HGTD1N120BNS9A
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
HGTD1N120BNS9A.pdf
Total:$0.68324
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(Em dólares americanos)
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$0.68324

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Número da peça
HGTD1N120BNS9A
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
Status da Peça
Active
Tipo IGBT
NPT
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max)
1200V
Corrente - Coletor (Ic) (Max)
5.3A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm)
6A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic
2.9V @ 15V, 1A
Potência - Max
60W
Energia de comutação
70µJ (on), 90µJ (off)
Tipo de entrada
Standard
Carga do Portão
14nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C
15ns/67ns
Condição de teste
960V, 1A, 82 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr)
-
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-252AA

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