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APTM120H57FTG

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Número da peça
APTM120H57FTG
Fabricante
Microsemi
Descrição
MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
APTM120H57FTG.pdf
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Número da peça
APTM120H57FTG
Fabricante
Microsemi
Descrição
MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP4
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
4 N-Channel (H-Bridge)
Recurso FET
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
684 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
187nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
5155pF @ 25V
Potência - Max
390W
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote / caso
SP4
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
SP4

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