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TSM200N03DPQ33 RGG

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Número da peça
TSM200N03DPQ33 RGG
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
TSM200N03DPQ33 RGG.pdf
Total:$0.17429
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(Em dólares americanos)
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$0.17429

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Número da peça
TSM200N03DPQ33 RGG
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
Status da Peça
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
345pF @ 25V
Potência - Max
20W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
8-PowerWDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
8-PDFN (3x3)

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