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Casa Produtos Produtos de semicondutores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPW60R125P6XKSA1

IPW60R125P6XKSA1

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Número da peça
IPW60R125P6XKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 600V TO247-3
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IPW60R125P6XKSA1.pdf
Total:$5.36000
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Preço de referência
(Em dólares americanos)		 1pcs
$5.36000

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Número da peça
IPW60R125P6XKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 600V TO247-3
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 960µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2660pF @ 100V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
219W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TO247-3
Pacote / caso
TO-247-3

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