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SISH617DN-T1-GE3

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Número da peça
SISH617DN-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SISH617DN-T1-GE3.pdf
Total:$0.41189
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.41189

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Número da peça
SISH617DN-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212-
Status da Peça
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
13.9A (Ta), 35A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.3 mOhm @ 13.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
59nC @ 10V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 15V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PowerPAK® 1212-8SH
Pacote / caso
PowerPAK® 1212-8SH

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