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Casa Produtos Produtos de semicondutores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPS80R1K4P7AKMA1

IPS80R1K4P7AKMA1

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Número da peça
IPS80R1K4P7AKMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IPS80R1K4P7AKMA1.pdf
Total:$0.46893
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(Em dólares americanos)		 1pcs
$0.46893

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Número da peça
IPS80R1K4P7AKMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 800V 4A IPAK-SL
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 700µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Recurso FET
Super Junction
Dissipação de energia (máx.)
32W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TO251-3
Pacote / caso
TO-251-3 Stub Leads, IPak

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