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FCD2250N80Z

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Número da peça
FCD2250N80Z
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
FCD2250N80Z.pdf
Total:$0.61431
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.61431

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Número da peça
FCD2250N80Z
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
2.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.25 Ohm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 260µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
585pF @ 100V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
39W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
D-Pak
Pacote / caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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