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Casa Produtos Produtos de semicondutores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPD180N10N3GATMA1

IPD180N10N3GATMA1

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Número da peça
IPD180N10N3GATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MV POWER MOS
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IPD180N10N3GATMA1.pdf
Total:$0.48125
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Preço de referência
(Em dólares americanos)		 1pcs
$0.48125

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Número da peça
IPD180N10N3GATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MV POWER MOS
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
43A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 33µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 50V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
71W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TO252-3
Pacote / caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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