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SCT2H12NZGC11

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Número da peça
SCT2H12NZGC11
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 1700V 3.7A
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Total:$6.25000
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(Em dólares americanos)
1pcs
$6.25000

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Número da peça
SCT2H12NZGC11
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 1700V 3.7A
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
1700V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
3.7A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5 Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 900µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
14nC @ 18V
Vgs (máx.)
+22V, -6V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
184pF @ 800V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
35W (Tc)
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-3PFM
Pacote / caso
TO-3PFM, SC-93-3

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