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MURTA20060R

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Número da peça
MURTA20060R
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descrição
DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
MURTA20060R.pdf
Total:$104.63222
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$104.63222

Requote Quote

Número da peça
MURTA20060R
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descrição
DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER
Status da Peça
Active
Configuração de diodo
1 Pair Common Anode
Tipo de Diodo
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max)
600V
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo)
100A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 100A
Rapidez
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr)
-
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr
25µA @ 600V
Temperatura de funcionamento - junção
-55°C ~ 150°C
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote / caso
Three Tower
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
Three Tower

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