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FQD7N10LTM

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Número da peça
FQD7N10LTM
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
FQD7N10LTM.pdf
Total:$0.26290
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.26290

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Número da peça
FQD7N10LTM
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
5.8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 5V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
D-Pak
Pacote / caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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