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RS1E170GNTB

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Número da peça
RS1E170GNTB
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
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Número da peça
RS1E170GNTB
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 30V 17A 8-HSOP
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
17A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.7 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
720pF @ 15V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3W (Ta), 23.7W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
8-HSOP
Pacote / caso
8-PowerTDFN

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