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SI6562DQ-T1-E3

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Número da peça
SI6562DQ-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SI6562DQ-T1-E3.pdf
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
SI6562DQ-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N/P-CH 20V 8-TSSOP
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N and P-Channel
Recurso FET
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
30 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Potência - Max
1W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
8-TSSOP

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