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SIA427ADJ-T1-GE3

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Número da peça
SIA427ADJ-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SIA427ADJ-T1-GE3.pdf
Total:$0.21660
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(Em dólares americanos)
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$0.21660

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Número da peça
SIA427ADJ-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET P-CH 8V 12A 6SC-70
Status da Peça
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 5V
Vgs (máx.)
±5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2300pF @ 4V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PowerPAK® SC-70-6 Single
Pacote / caso
PowerPAK® SC-70-6

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