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Casa Produtos Produtos de semicondutores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPD200N15N3GATMA1

IPD200N15N3GATMA1

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Número da peça
IPD200N15N3GATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IPD200N15N3GATMA1.pdf
Total:$1.20938
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Preço de referência
(Em dólares americanos)		 1pcs
$1.20938

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Número da peça
IPD200N15N3GATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
150V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 90µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
31nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1820pF @ 75V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
150W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TO252-3
Pacote / caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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