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S1JLHR3G

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Número da peça
S1JLHR3G
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
S1JLHR3G.pdf
Total:$0.06554
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$0.06554

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Número da peça
S1JLHR3G
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
Status da Peça
Active
Tipo de Diodo
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max)
600V
Atual - Média Retificada (Io)
1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If
1.1V @ 1A
Rapidez
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr)
1.8µs
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr
5µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F
9pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
DO-219AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
Sub SMA
Temperatura de funcionamento - junção
-55°C ~ 175°C

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