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FDN339AN_G

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Número da peça
FDN339AN_G
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.00000

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Número da peça
FDN339AN_G
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 10V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
SuperSOT-3
Pacote / caso
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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