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SIZ914DT-T1-GE3

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Número da peça
SIZ914DT-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SIZ914DT-T1-GE3.pdf
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(Em dólares americanos)
1pcs
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Número da peça
SIZ914DT-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
16A, 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.4 mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1208pF @ 15V
Potência - Max
22.7W, 100W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
8-PowerWDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
8-PowerPair®

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