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Casa Produtos Produtos de semicondutores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPS135N03LGAKMA1

IPS135N03LGAKMA1

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Número da peça
IPS135N03LGAKMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IPS135N03LGAKMA1.pdf
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Número da peça
IPS135N03LGAKMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
30A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13.5 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1000pF @ 15V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
31W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TO251-3
Pacote / caso
TO-251-3 Stub Leads, IPak

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