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NP36P04KDG-E1-AY

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Número da peça
NP36P04KDG-E1-AY
Fabricante
Renesas Electronics America
Descrição
MOSFET P-CH 40V 36A TO-263
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
NP36P04KDG-E1-AY.pdf
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(Em dólares americanos)
1pcs
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Número da peça
NP36P04KDG-E1-AY
Fabricante
Renesas Electronics America
Descrição
MOSFET P-CH 40V 36A TO-263
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
36A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
55nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2800pF @ 10V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.8W (Ta), 56W (Tc)
Temperatura de operação
175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-263
Pacote / caso
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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