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BSC265N10LSFGATMA1

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Número da peça
BSC265N10LSFGATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
BSC265N10LSFGATMA1.pdf
Total:$0.48177
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.48177

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Número da peça
BSC265N10LSFGATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 100V 40A TDSON-8
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
6.5A (Ta), 40A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.4V @ 43µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
21nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 50V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
78W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TDSON-8
Pacote / caso
8-PowerTDFN

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