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IPP65R125C7XKSA1

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Número da peça
IPP65R125C7XKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IPP65R125C7XKSA1.pdf
Total:$4.93000
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(Em dólares americanos)
1pcs
$4.93000

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Número da peça
IPP65R125C7XKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 650V 18A TO220
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
18A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 440µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1670pF @ 400V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
101W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TO220-3
Pacote / caso
TO-220-3

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