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IXTY1R6N100D2

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Número da peça
IXTY1R6N100D2
Fabricante
IXYS Corporation
Descrição
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IXTY1R6N100D2.pdf
Total:$2.29000
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$2.29000

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Número da peça
IXTY1R6N100D2
Fabricante
IXYS Corporation
Descrição
MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
1000V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
1.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 Ohm @ 800mA, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 5V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
645pF @ 25V
Recurso FET
Depletion Mode
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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