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SIB800EDK-T1-GE3

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Número da peça
SIB800EDK-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 20V 1.5A SC75-6
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SIB800EDK-T1-GE3.pdf
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
SIB800EDK-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 20V 1.5A SC75-6
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
1.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
225 mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
1.7nC @ 4.5V
Vgs (máx.)
±6V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Recurso FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)
1.1W (Ta), 3.1W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PowerPAK® SC-75-6L Single
Pacote / caso
PowerPAK® SC-75-6L

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