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IRF100P218XKMA1

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Número da peça
IRF100P218XKMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
TRENCHMOSFETS
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IRF100P218XKMA1.pdf
Total:$9.20000
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$9.20000

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Número da peça
IRF100P218XKMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
TRENCHMOSFETS
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
-
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.28 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.8V @ 278µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
555nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
25000pF @ 50V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
556W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-247AC
Pacote / caso
TO-247-3

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