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1N5407G B0G

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Número da peça
1N5407G B0G
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
1N5407G B0G.pdf
Total:$0.08064
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.08064

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Número da peça
1N5407G B0G
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Status da Peça
Active
Tipo de Diodo
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max)
800V
Atual - Média Retificada (Io)
3A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If
1V @ 3A
Rapidez
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr)
-
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr
5µA @ 800V
Capacitância @ Vr, F
25pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / caso
DO-201AD, Axial
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
DO-201AD
Temperatura de funcionamento - junção
-55°C ~ 150°C

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