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TK31N60W,S1VF

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Número da peça
TK31N60W,S1VF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Total:$8.45000
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(Em dólares americanos)
1pcs
$8.45000

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Número da peça
TK31N60W,S1VF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
MOSFET N CH 600V 30.8A TO247
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
30.8A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
88 mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.7V @ 1.5mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
86nC @ 10V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3000pF @ 300V
Recurso FET
Super Junction
Dissipação de energia (máx.)
230W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-247
Pacote / caso
TO-247-3

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