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NDD60N745U1-35G

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Número da peça
NDD60N745U1-35G
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-3
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
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Número da peça
NDD60N745U1-35G
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 600V 6.8A IPAK-3
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
6.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
745 mOhm @ 3.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
440pF @ 50V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
84W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
I-PAK
Pacote / caso
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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