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Casa Produtos Produtos de semicondutores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single SI7806ADN-T1-GE3

SI7806ADN-T1-GE3

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Número da peça
SI7806ADN-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SI7806ADN-T1-GE3.pdf
Total:$0.68880
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(Em dólares americanos)		 1pcs
$0.68880

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Número da peça
SI7806ADN-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 30V 9A 1212-8
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 5V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.5W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PowerPAK® 1212-8
Pacote / caso
PowerPAK® 1212-8

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