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EPC2101ENGRT

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Número da peça
EPC2101ENGRT
Fabricante
EPC
Descrição
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
EPC2101ENGRT.pdf
Total:$4.77400
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(Em dólares americanos)
1pcs
$4.77400

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Número da peça
EPC2101ENGRT
Fabricante
EPC
Descrição
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Status da Peça
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
9.5A, 38A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 2mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
2.7nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
300pF @ 30V
Potência - Max
-
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
Die
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
Die

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