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IPD50R380CEBTMA1

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Número da peça
IPD50R380CEBTMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
IPD50R380CEBTMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N CH 500V 9.9A PG-TO252
Status da Peça
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
9.9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380 mOhm @ 3.2A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 260µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
24.8nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
584pF @ 100V
Recurso FET
Super Junction
Dissipação de energia (máx.)
73W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TO252-3
Pacote / caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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