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Casa Produtos Produtos de semicondutores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single SQJQ402E-T1_GE3

SQJQ402E-T1_GE3

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Número da peça
SQJQ402E-T1_GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SQJQ402E-T1_GE3.pdf
Total:$1.16228
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(Em dólares americanos)		 1pcs
$1.16228

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Número da peça
SQJQ402E-T1_GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 40V 200A POWERPAK8
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
200A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.7 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
13500pF @ 20V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
150W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PowerPAK® 8 x 8
Pacote / caso
PowerPAK® 8 x 8 Single

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