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FDC6561AN

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Número da peça
FDC6561AN
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Total:$0.20920
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.20920

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Número da peça
FDC6561AN
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
Status da Peça
Active
Tipo FET
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
2.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
3.2nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
220pF @ 15V
Potência - Max
700mW
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
SuperSOT™-6

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