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Casa Produtos Produtos de semicondutores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPB180N03S4LH0ATMA1

IPB180N03S4LH0ATMA1

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Número da peça
IPB180N03S4LH0ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IPB180N03S4LH0ATMA1.pdf
Total:$1.96335
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(Em dólares americanos)		 1pcs
$1.96335

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Número da peça
IPB180N03S4LH0ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7-3
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
180A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.95 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.2V @ 200µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
300nC @ 10V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
23000pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TO263-7-3
Pacote / caso
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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