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HTNFET-D

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Número da peça
HTNFET-D
Fabricante
Honeywell Aerospace
Descrição
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
HTNFET-D.pdf
Total:$406.00000
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$406.00000

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Número da peça
HTNFET-D
Fabricante
Honeywell Aerospace
Descrição
MOSFET N-CH 55V 8-DIP
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
-
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 100mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.4V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
4.3nC @ 5V
Vgs (máx.)
10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
290pF @ 28V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
50W (Tj)
Temperatura de operação
-55°C ~ 225°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
8-CDIP-EP
Pacote / caso
8-CDIP Exposed Pad

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