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1N4446_T50R

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Número da peça
1N4446_T50R
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
1N4446_T50R.pdf
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
1N4446_T50R
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35
Status da Peça
Obsolete
Tipo de Diodo
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max)
100V
Atual - Média Retificada (Io)
200mA
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If
1V @ 20mA
Rapidez
Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo de Recuperação Reversa (trr)
4ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr
25nA @ 20V
Capacitância @ Vr, F
4pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / caso
DO-204AH, DO-35, Axial
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
DO-35
Temperatura de funcionamento - junção
175°C (Max)

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