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SIR870ADP-T1-GE3

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Número da peça
SIR870ADP-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SIR870ADP-T1-GE3.pdf
Total:$1.06988
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(Em dólares americanos)
1pcs
$1.06988

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Número da peça
SIR870ADP-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
60A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
80nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2866pF @ 50V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / caso
PowerPAK® SO-8

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