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EPC2012C

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Número da peça
EPC2012C
Fabricante
EPC
Descrição
GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
EPC2012C.pdf
Total:$1.19000
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$1.19000

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Número da peça
EPC2012C
Fabricante
EPC
Descrição
GANFET TRANS 200V 5A BUMPED DIE
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
1.3nC @ 5V
Vgs (máx.)
+6V, -4V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
140pF @ 100V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
-
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
Die Outline (4-Solder Bar)
Pacote / caso
Die

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