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IPI60R190C6XKSA1

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Número da peça
IPI60R190C6XKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IPI60R190C6XKSA1.pdf
Total:$1.90780
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$1.90780

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Número da peça
IPI60R190C6XKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262
Status da Peça
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
20.2A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
190 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 630µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
63nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1400pF @ 100V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
151W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TO262-3
Pacote / caso
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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