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SIUD412ED-T1-GE3

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Número da peça
SIUD412ED-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SIUD412ED-T1-GE3.pdf
Total:$0.07469
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$0.07469

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Número da peça
SIUD412ED-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
12V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
500mA (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
340 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
0.71nC @ 4.5V
Vgs (máx.)
±5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
21pF @ 6V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.25W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PowerPAK® 0806
Pacote / caso
PowerPAK® 0806

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