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SIRA34DP-T1-GE3

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Número da peça
SIRA34DP-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
SIRA34DP-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
40A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.7 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Vgs (máx.)
+20V, -16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 15V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.3W (Ta), 31.25W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / caso
PowerPAK® SO-8

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