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BAS316,H3F

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Número da peça
BAS316,H3F
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Total:$0.03060
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.03060

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Número da peça
BAS316,H3F
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
Status da Peça
Active
Tipo de Diodo
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max)
100V
Atual - Média Retificada (Io)
250mA
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If
1.25V @ 150mA
Rapidez
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr)
3ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr
200nA @ 80V
Capacitância @ Vr, F
0.35pF @ 0V, 1MHz
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
SC-76, SOD-323
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
USC
Temperatura de funcionamento - junção
150°C (Max)

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