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RQK0607AQDQS#H1

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Número da peça
RQK0607AQDQS#H1
Fabricante
Renesas Electronics America
Descrição
MOSFET N-CH
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
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Número da peça
RQK0607AQDQS#H1
Fabricante
Renesas Electronics America
Descrição
MOSFET N-CH
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
2.4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
-
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
2nC @ 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
170pF @ 10V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.5W (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
UPAK
Pacote / caso
TO-243AA

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