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R6004ENDTL

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Número da peça
R6004ENDTL
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
R6004ENDTL.pdf
Total:$0.51100
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.51100

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Número da peça
R6004ENDTL
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
Status da Peça
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
980 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
20W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
CPT3
Pacote / caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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