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SI3812DV-T1-GE3

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Número da peça
SI3812DV-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SI3812DV-T1-GE3.pdf
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Número da peça
SI3812DV-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 20V 2A 6-TSOP
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
600mV @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Recurso FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)
830mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
6-TSOP
Pacote / caso
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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