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IGT60R190D1SATMA1

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Número da peça
IGT60R190D1SATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
IC GAN FET 600V 23A 8HSOF
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IGT60R190D1SATMA1.pdf
Total:$8.77241
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(Em dólares americanos)
1pcs
$8.77241

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Número da peça
IGT60R190D1SATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
IC GAN FET 600V 23A 8HSOF
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
12.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
1.6V @ 960µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
-
Vgs (máx.)
-10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
157pF @ 400V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
55.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-HSOF-8-3
Pacote / caso
8-PowerSFN

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